| | Inhalt | |
| | Vorwort | XV |
| 1 | Allgemeine Einführung in die Mikrostrukturtechnik | 1 |
| 1.1 | Was ist Mikrostrukturtechnik? | 1 |
| 1.2 | Von der Mikrostrukturtechnik zur Mikrosystemtechnik | 9 |
| 2 | Parallelen zur Mikroelektronik | 15 |
| 2.1 | Herstellung von Einkristallscheiben | 15 |
| 2.1.1 | Herstellung von Silizium-Einkristallen | 17 |
| 2.1.1.1 | Tiegelziehverfahren (Czochralski-Verfahren) | 19 |
| 2.1.1.2 | Zonenziehverfahren (Float-Zone-Verfahren) | 21 |
| 2.1.1.3 | Segregation | 23 |
| 2.1.1.4 | Weiterverarbeitung der Ingots | 25 |
| 2.1.2 | Herstellung von GaAs-Einkristallen | 28 |
| 2.1.2.1 | Bridgman- und Gradient-Freeze-Verfahren | 28 |
| 2.1.2.2 | LEC-Verfahren (Liquid Encapsulated Czochralski) | 30 |
| 2.2 | Technologische Grundprozesse | 31 |
| 2.2.1 | Herstellung eines integrierten Schaltkreises | 33 |
| 2.2.1.1 | Reinigung | 33 |
| 2.2.1.2 | Oxidation | 34 |
| 2.2.1.3 | Photolithographie | 34 |
| 2.2.1.4 | Ionenimplantation und Diffusion | 35 |
| 2.2.1.5 | Ätzen | 35 |
| 2.2.1.6 | Beschichtung | 36 |
| 2.3 | Weiterverarbeitung der integrierten Schaltungen | 36 |
| 2.3.1 | Anforderungen an die Aufbau- und Verbindungstechnik | 37 |
| 2.3.2 | Hybridtechniken | 38 |
| 2.3.2.1 | Dickschichttechnik | 38 |
| 2.3.2.2 | Bestücken und Löten der Schaltung | 39 |
| 2.3.2.3 | Montage und Kontaktierung ungehäuster Halbleiterbauelemente | 40 |
| 2.4 | Reinraumtechnik | 41 |
| 2.4.1 | Partikelmessung im Reinraum | 45 |
| 2.5 | Punktfehler und Ausbeute bei Halbleiterbauelementen | 45 |
| 3 | Physikalische und chemische Grundlagen der Mikrotechnik | 49 |
| 3.1 | Kristalle und Kristallographie | 49 |
| 3.1.1 | Gitter und Gittertypen | 50 |
| 3.1.2 | Stereographische Projektion | 52 |
| 3.1.3 | Silizium-Einkristall | 56 |
| 3.1.4 | Reziprokes Gitter und Kristallstrukturanalyse | 58 |
| 3.2 | Methoden zur Bestimmung der Kristallstruktur | 65 |
| 3.2.1 | Röntgenstrahlbeugung | 65 |
| 3.2.2 | Elektronenstrahlbeugung | 67 |
| 3.3 | Grundlagen der galvanischen Abscheidung | 69 |
| 3.3.1 | Phasengrenze Elektrode-Elektrolyt | 72 |
| 3.3.1.1 | Elektrisches und elektrochemisches Potential | 72 |
| 3.3.2 | Polarisation und Überspannung | 75 |
| 3.3.3 | Mechanismen der kathodischen Metallabscheidung | 77 |
| 3.3.3.1 | Migration | 79 |
| 3.3.3.2 | Diffusion | 80 |
| 3.3.3.3 | Konvektion | 80 |
| 3.3.3.4 | Stofftransportvorgänge während der Mikrogalvanoformung | 83 |
| 3.4 | Grundlagen der Vakuumtechnik | 84 |
| 3.4.1 | Mittlere freie Weglänge | 84 |
| 3.4.2 | Wiederbedeckungszeit | 86 |
| 3.4.3 | Geschwindigkeit von Atomen und Molekülen | 87 |
| 3.4.4 | Gasdynamik | 89 |
| 3.4.5 | Einteilung des technischen Vakuums | 89 |
| 3.5 | Vakuumerzeugung | 91 |
| 3.5.1 | Pumpen für Grob- und Feinvakuum | 91 |
| 3.5.1.1 | Verdrängervakuumpumpen | 91 |
| 3.5.2 | Hochvakuum- und Ultrahochvakuumpumpen | 93 |
| 3.5.2.1 | Treibmittelvakuumpumpen | 95 |
| 3.5.2.2 | Gas bindende Vakuumpumpen (Sorptionspumpen) | 96 |
| 3.6 | Vakuummessung | 99 |
| 3.6.1 | Druckmessdose | 99 |
| 3.6.2 | Wärmeleitungsvakuummeter | 99 |
| 3.6.3 | Reibungsvakuummeter | 100 |
| 3.6.4 | Ionisationsvakuummeter mit unselbständiger Entladung (Glühkathode) | 100 |
| 3.6.5 | Ionisationsvakuummeter mit selbständiger Entladung (Penning-Prinzip) | 101 |
| 3.6.6 | Leckage und Lecksuche | 102 |
| 3.7 | Eigenschaften von Dünnschichten | 103 |
| 3.7.1 | Strukturzonenmodelle | 103 |
| 3.7.2 | Haftfestigkeit der Schicht | 106 |
| 4 | Materialien der Mikrosystemtechnik | 109 |
| 4.1 | Materialeigenschaften | 111 |
| 4.1.1 | Thermische Eigenschaften | 112 |
| 4.1.1.1 | Wärmeleitfähigkeit | 113 |
| 4.1.1.2 | Spezifische Wärme | 113 |
| 4.1.1.3 | Latente Wärme | 114 |
| 4.1.1.4 | Wärmeausdehnungskoeffizient | 114 |
| 4.1.2 | Elektrische Eigenschaften | 115 |
| 4.1.2.1 | Elektrische Leitfähigkeit | 115 |
| 4.1.2.2 | Dielektrische Konstante | 116 |
| 4.1.2.3 | Thermoelektrizität | 116 |
| 4.1.2.4 | Piezoresistivität | 117 |
| 4.1.3 | Mechanische Eigenschaften | 119 |
| 4.2 | Kunststoffe | 120 |
| 4.2.1 | Ordnung der Makromoleküle | 121 |
| 4.2.2 | Polymere für die Lithographie | 122 |
| 4.2.3 | Flüssigkristalle | 124 |
| 4.2.4 | Flüssigkristalline Polymere | 125 |
| 4.2.5 | Gele | 127 |
| 4.2.6 | Elektrorheologische Flüssigkeiten | 129 |
| 4.3 | Halbleiter | 131 |
| 4.4 | Keramiken | 134 |
| 4.4.1 | Keramik als Substrat | 134 |
| 4.4.2 | Keramik als Material für Aktoren | 135 |
| 4.4.3 | Keramik als Material für Gassensoren | 135 |
| 4.5 | Metalle | 136 |
| 4.5.1 | Magnetostriktive Metalle | 137 |
| 4.5.2 | Anwendungen der Magnetostriktion | 139 |
| 4.5.3 | Formgedächtnis-Legierungen | 140 |
| 4.5.3.1 | Einwegeffekt | 141 |
| 4.5.3.2 | Zweiwegeffekt | 142 |
| 4.5.3.3 | Unterdrücktes Formgedächtnis | 143 |
| 4.5.3.4 | Einsatz als Aktoren | 144 |
| 4.5.3.5 | Herstellung | 144 |
| 4.5.3.6 | Eigenschaften der Formgedächtnislegierungen | 145 |
| 5 | Basistechnologien der Mikrotechnik | 147 |
| 5.1 | Schichtabscheidung | 147 |
| 5.1.1 | Physikalische Beschichtungstechniken | 147 |
| 5.1.1.1 | Aufdampfen | 147 |
| 5.1.1.2 | Sputtern (Kathodenzerstäuben) | 151 |
| 5.1.1.3 | Ionenplattieren | 153 |
| 5.1.2 | Chemische Beschichtungstechniken | 154 |
| 5.1.2.1 | CVD-Verfahren | 154 |
| 5.1.2.2 | Epitaxie | 160 |
| 5.1.2.3 | GaAs-Epitaxie | 163 |
| 5.1.2.4 | Plasmapolymerisation | 163 |
| 5.2 | Schichtmodifikation | 164 |
| 5.2.1 | Thermische Oxidation | 164 |
| 5.2.2 | Diffusion | 165 |
| 5.2.3 | Ionenimplantation | 167 |
| 5.3 | Schichtabtragung (Ätzen) | 168 |
| 5.3.1 | Physikalische und chemische Trockenätzverfahren | 170 |
| 5.3.1.1 | Plasmaquellen | 172 |
| 5.3.1.2 | Charakteristika der rein physikalischen Ätzprozesse | 173 |
| 5.3.1.3 | Kombination chemischer und physikalischer Ätzprozesse | 178 |
| 5.3.1.4 | Charakteristika des reaktiven Ionen- und Ionenstrahlätzens | 180 |
| 5.3.1.5 | Das rein chemische Ätzen | 181 |
| 5.4 | Analyse von Dünnschichten und Oberflächen | 184 |
| 5.4.1 | Elektronenstrahl-Mikroanalyse (Electron Probe Microanalysis, EPM) | 185 |
| 5.4.2 | Auger-Elektronenspektroskopie (AES) | 186 |
| 5.4.3 | Photoelektronenspektroskopie (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, ESCA) | 187 |
| 5.4.4 | Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) | 188 |
| 5.4.5 | Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometrie (SNMS) | 188 |
| 5.4.6 | Ionen-Streuspektroskopie (ISS) | 189 |
| 5.4.7 | Rutherford-Rückstreuungsspektroskopie (Rutherford Backscattering Spectroscopy, RBS) | 189 |
| 5.4.8 | Rastertunnelmikroskop (Atomic Force Microscope, AFM) | 190 |
| 6 | Lithographie | 191 |
| 6.1 | Überblick und Historie | 191 |
| 6.2 | Resists | 196 |
| 6.3 | Verfahren der Lithographie | 198 |
| 6.3.1 | Computer Aided Design (CAD) | 199 |
| 6.3.1.1 | CAD-Entwurf | 200 |
| 6.3.1.2 | Justiermarken und Teststrukturen | 202 |
| 6.3.1.3 | Organisation des Entwurfs (Hierarchie, Layers) | 203 |
| 6.4 | Elektronenstrahllithographie | 205 |
| 6.4.1 | Gauß'scher Strahl | 206 |
| 6.4.2 | Geformter Strahl | 211 |
| 6.4.3 | Postprozessor | 213 |
| 6.5 | Proximity-Effekt | 214 |
| 6.6 | Optische Lithographie | 216 |
| 6.6.1 | Masken | 217 |
| 6.6.2 | Schattenprojektion | 218 |
| 6.6.3 | Abbildende Projektion | 221 |
| 6.6.3.1 | Ganzscheiben-Belichtung | 222 |
| 6.6.3.2 | Moderne Lithographiemaschinen | 223 |
| 6.7 | Weiterentwicklungen | 224 |
| 6.7.1 | Phasenmasken | 224 |
| 6.7.2 | Spezielle Resisttechnologien | 225 |
| 6.7.3 | Optische Lithographie für die Mikrostrukturtechnik | 226 |
| 6.8 | Ionenstrahllithographie | 231 |
| 6.9 | Röntgenlithographie | 232 |
| 6.9.1 | Masken für die Röntgenlithographie | 233 |
| 6.9.2 | Röntgenlichtquellen | 234 |
| 6.9.3 | Synchrotronstrahlung | 235 |
| 6.9.4 | Einsatz der Röntgenlithographie | 240 |
| 7 | Silizium-Mikromechanik | 241 |
| 7.1 | Siliziumtechnologie | 242 |
| 7.1.1 | IC-Prozesse und -Substrate | 243 |
| 7.1.2 | Foundry-Technologien | 247 |
| 7.2 | Silizium-Bulk-Mikromechanik | 248 |
| 7.2.1 | Einleitung | 248 |
| 7.2.1.1 | Ätzrate und Anisotropie | 250 |
| 7.2.1.2 | Selektivität | 251 |
| 7.2.1.3 | Prozesskompatibilität | 251 |
| 7.2.1.4 | Einfachheit der Verwendung und Sicherheit | 252 |
| 7.2.1.5 | Kosten | 253 |
| 7.2.2 | Nasschemisches Ätzen | 253 |
| 7.2.2.1 | HNA-Ätzlösungen | 253 |
| 7.2.2.2 | Alkalihydroxid-Ätzlösungen | 255 |
| 7.2.2.3 | Ammoniumhydroxid-Ätzlösungen | 259 |
| 7.2.2.4 | Ethylendiamin-Brenzkatechin-Ätzlösungen | 260 |
| 7.2.3 | Grundlegende Ätzformen | 261 |
| 7.2.3.1 | Ätzgruben und -gräben | 262 |
| 7.2.3.2 | Membranen | 264 |
| 7.2.3.3 | Mesas und Spitzen | 264 |
| 7.2.3.4 | Cantilever | 265 |
| 7.2.3.5 | Brücken | 267 |
| 7.2.4 | Ätzkontrolle | 268 |
| 7.2.4.1 | Ätzstoppmechanismen | 268 |
| 7.2.4.2 | Elektrochemisches Siliziumätzen | 271 |
| 7.2.4.3 | Elektrochemische Siliziumporosifizierung | 273 |
| 7.2.5 | Charakterisierung von anisotropen Nassätzmitteln | 274 |
| 7.2.6 | Trockenätzen | 276 |
| 7.2.6.1 | XeF2-Ätzen | 276 |
| 7.2.6.2 | Fertigung von Mikrostrukturen mit hohem Aspektverhältnis | 279 |
| 7.2.6.3 | Anwendungen von trockenem Siliziumätzen | 281 |
| 7.3 | Oberflächenmikromechanik | 285 |
| 7.3.1 | Polysilizium-Mikromechanik | 287 |
| 7.3.2 | Opferaluminium-Mikromechanik | 290 |
| 7.3.3 | Opferpolymer-Mikromechanik | 292 |
| 7.3.4 | Sticking | 293 |
| 7.4 | Mikrowandler und -systeme in der Siliziumtechnologie | 294 |
| 7.4.1 | Mechanische Bauteile und Systeme | 295 |
| 7.4.1.1 | Drucksensoren | 296 |
| 7.4.1.2 | Beschleunigungssensoren | 298 |
| 7.4.1.3 | Drehratensensoren | 300 |
| 7.4.1.4 | Stresssensoren | 302 |
| 7.4.2 | Thermische Mikrobauteile und -systeme | 304 |
| 7.4.2.1 | Temperaturmessung | 304 |
| 7.4.2.2 | Durchflusssensoren | 308 |
| 7.4.2.3 | Vakuum- und Drucksensoren | 311 |
| 7.4.3 | Komponenten und Systeme für Strahlungssignale | 313 |
| 7.4.3.1 | Ungekühlte Infrarotdetektoren | 313 |
| 7.4.3.2 | Thermische Szenensimulatoren | 316 |
| 7.4.3.3 | Lichtschalter | 316 |
| 7.4.4 | Magnetische Bauteile und Systeme | 319 |
| 7.4.5 | Chemische Mikrosensoren | 321 |
| 7.4.5.1 | Mikrofluidische Komponenten und Systeme | 324 |
| 7.4.6 | Mikromechanische Bauteile für die Signalverarbeitung | 326 |
| 7.5 | Zusammenfassung und Ausblick | 328 |
| 8 | LIGA-Verfahren | 329 |
| 8.1 | Überblick | 329 |
| 8.2 | Maskenherstellung | 331 |
| 8.2.1 | Prinzipieller Aufbau einer Maske | 331 |
| 8.2.1.1 | Absorber | 331 |
| 8.2.1.2 | Trägerfolie | 332 |
| 8.2.2 | Herstellung der Trägerfolien | 334 |
| 8.2.3 | Strukturierung des Resists für Röntgenzwischenmasken | 335 |
| 8.2.3.1 | Optische Lithographie | 335 |
| 8.2.3.2 | Direkte Elektronenstrahllithographie | 336 |
| 8.2.3.3 | Reaktives Ionenätzen | 337 |
| 8.2.3.4 | Vergleich der Strukturierungsmethoden zur Herstellung von Zwischenmasken | 337 |
| 8.2.4 | Goldgalvanik für Röntgenmasken | 337 |
| 8.2.5 | Herstellung von Arbeitsmasken | 339 |
| 8.2.6 | Justieröffnungen in Röntgenarbeitsmasken | 340 |
| 8.3 | Röntgentiefenlithographie | 341 |
| 8.3.1 | Herstellung von dicken Resistschichten | 341 |
| 8.3.1.1 | Strahleninduzierte Reaktionen und Entwicklung des Resists | 343 |
| 8.3.2 | Anforderungen an die absorbierte Strahlendosis | 347 |
| 8.3.3 | Einflüsse auf die Strukturqualität | 350 |
| 8.3.3.1 | Fresnel-Beugung, Photoelektronen | 351 |
| 8.3.3.2 | Divergenz der Strahlung | 353 |
| 8.3.3.3 | Neigung der Absorberwände zum Strahl | 354 |
| 8.3.3.4 | Fluoreszenzstrahlung aus der Maskenmembran | 354 |
| 8.3.3.5 | Erzeugung von Sekundärelektronen aus der Haft- und Galvanikstartschicht | 354 |
| 8.3.3.6 | Quellen des Resists | 356 |
| 8.4 | Galvanische Abscheidung | 356 |
| 8.4.1 | Galvanische Abscheidung von Nickel für die Mikrostrukturherstellung | 357 |
| 8.4.2 | Formeinsatzherstellung für die Mikroabformung | 361 |
| 8.4.3 | Galvanische Abscheidung weiterer Metalle und Legierungen | 362 |
| 8.5 | Kunststoffabformung im LIGA-Verfahren | 364 |
| 8.5.1 | Herstellung von Mikrostrukturen im Reaktionsgießverfahren | 365 |
| 8.5.2 | Herstellung von Mikrostrukturen im Spritzgießverfahren | 368 |
| 8.5.3 | Herstellung von Mikrostrukturen im Heißprägeverfahren | 374 |
| 8.5.4 | Herstellung von metallischen Mikrostrukturen aus abgeformten Kunststoffstrukturen (zweite Galvanoformung) | 377 |
| 8.5.4.1 | Zweite Galvanoformung geprägter Mikrostrukturen | 377 |
| 8.5.4.2 | Zweite Galvanoformung mit Hilfe einer metallischen Angussplatte | 377 |
| 8.5.4.3 | Zweite Galvanoformung mit Hilfe elektrisch leitfähiger Kunststoffe | 379 |
| 8.5.4.4 | Zweite Galvanoformung durch Beschichtung der Kunststoffstrukturen | 381 |
| 8.6 | Variationen und ergänzende Schritte des LIGA-Verfahrens | 382 |
| 8.6.1 | Opferschichttechnik | 382 |
| 8.6.2 | 3D-Strukturierung | 385 |
| 8.6.2.1 | Gestufte Strukturen | 385 |
| 8.6.2.2 | Geneigte Strukturen | 387 |
| 8.6.2.3 | Konische Strukturen und Strukturen mit sphärischer Oberfläche | 388 |
| 8.6.2.4 | Herstellung von Strukturen mit beweglicher Maske | 389 |
| 8.6.3 | Herstellung Licht leitender Strukturen durch Abformung | 391 |
| 8.7 | Protonenlithographie (DLP) -- ein weiteres Strukturierungsverfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen mit großem Aspektverhältnis | 394 |
| 8.8 | Anwendungsbeispiele | 399 |
| 8.8.1 | Starre metallische Mikrostrukturen | 400 |
| 8.8.1.1 | Filter für das Ferne Infrarot | 400 |
| 8.8.1.2 | Mikrospulen | 401 |
| 8.8.1.3 | Mikrozahnräder, Mikrogetriebe | 403 |
| 8.8.2 | Bewegliche Mikrostrukturen, Mikrosensoren, Mikroaktoren | 403 |
| 8.8.2.1 | Beschleunigungssensoren | 404 |
| 8.8.2.2 | Elektrostatischer Linearantrieb | 406 |
| 8.8.2.3 | Elektromagnetischer Linearaktor | 407 |
| 8.8.2.4 | Mikroturbine, Strömungssensoren, Mikrofräser | 412 |
| 8.8.2.5 | Mikromotoren | 413 |
| 8.8.3 | Fluidische Mikrostrukturen | 416 |
| 8.8.3.1 | Mikrostrukturierte Fluidplatten | 416 |
| 8.8.3.2 | Mikropumpen nach dem LIGA-Verfahren | 416 |
| 8.8.3.3 | Mikrofluidische Schalter | 416 |
| 8.8.3.4 | Mikrofluidische Linearaktoren | 418 |
| 8.8.4 | LIGA-Strukturen für optische Anwendungen | 419 |
| 8.8.4.1 | Einfache optische Elemente Linsen, Prismen | 420 |
| 8.8.4.2 | Mikrooptische Bank | 422 |
| 8.8.4.3 | Mikrooptische Bänke mit Aktoren | 426 |
| 8.8.4.4 | Funktionsmodule mit optisch aktiven Elementen -- modulares Aufbaukonzept | 429 |
| 9 | Alternative Verfahren der Mikrostrukturierung | 437 |
| 9.1 | Ultrapräzisionsmikrobearbeitung | 438 |
| 9.1.1 | Anwendungsbeispiele | 443 |
| 9.1.1.1 | Mikrowärmeüberträger | 443 |
| 9.1.1.2 | Mikroreaktoren | 445 |
| 9.1.1.3 | Retrospiegel | 446 |
| 9.1.1.4 | Mikropumpen | 447 |
| 9.2 | Mikrofunkenerosion (von R. Förster) | 448 |
| 9.2.1 | Physikalisches Prinzip | 448 |
| 9.2.1.1 | Aufbauphase | 450 |
| 9.2.1.2 | Entladephase | 451 |
| 9.2.1.3 | Abbauphase | 451 |
| 9.2.2 | Funkenerosive Bearbeitung keramischer Werkstoffe | 452 |
| 9.2.2.1 | Siliziuminfiltriertes Siliziumcarbid (SiSiC) | 453 |
| 9.2.2.2 | Siliziumnitrid (Si3N4) | 454 |
| 9.2.2.3 | Elektrisch nicht leitfähige Keramiken | 454 |
| 9.2.3 | Verfahrensvarianten | 455 |
| 9.2.3.1 | Funkenerosives Senken | 455 |
| 9.2.3.2 | Funkenerosives Schneiden | 456 |
| 9.2.4 | Anwendungsbeispiele | 459 |
| 9.3 | Präzisionselektrochemische Mikrobearbeitung (von R. Förster) | 461 |
| 9.3.1 | Vorgänge im Bearbeitungsspalt | 462 |
| 9.3.1.1 | Spannungsabfall | 462 |
| 9.3.1.2 | Anodische Metallauflösung | 464 |
| 9.3.2 | Elektrolytlösungen | 466 |
| 9.3.2.1 | Kenngrößen der Elektrolytlösungen | 468 |
| 9.3.3 | Untersuchungen verschiedener Werkstoffe | 469 |
| 9.3.3.1 | Eisen, Eisenlegierungen und Stähle | 469 |
| 9.3.3.2 | Titan und Titanlegierungen | 470 |
| 9.3.3.3 | Hartmetalle | 470 |
| 9.3.4 | ECM-Senken mit oszillierender Werkzeugelektrode | 471 |
| 9.3.4.1 | Prozesskenngrößen | 471 |
| 9.3.4.2 | Darstellung der Vorgänge im Arbeitsspalt | 472 |
| 9.3.4.3 | Werkzeugelektrodenwerkstoffe | 473 |
| 9.3.5 | Elektrochemische Bearbeitungsverfahren in der Mikrosystemtechnik | 474 |
| 9.3.5.1 | Elektrochemisches Mikrobohren | 474 |
| 9.3.5.2 | Elektrochemisches Mikrodrahtschneiden | 474 |
| 9.3.5.3 | Elektrochemisches Mikrofräsen | 475 |
| 9.3.5.4 | Weitere Anwendungsbeispiele des Verfahrens in der Mikrosystemtechnik | 476 |
| 9.4 | Replikationstechniken | 478 |
| 9.4.1 | Spritzgießen | 478 |
| 9.4.2 | Heißprägen | 480 |
| 9.5 | Laserunterstützte Verfahren | 482 |
| 10 | Aufbau- und Verbindungstechniken | 485 |
| 10.1 | Hybridtechniken | 486 |
| 10.1.1 | Substrate und Pasten | 486 |
| 10.1.2 | Schichterzeugung | 489 |
| 10.1.2.1 | Trocknen und Einbrennen der Pasten | 490 |
| 10.1.3 | Bestücken und Löten der Schaltung | 490 |
| 10.1.4 | Montage und Kontaktierung ungehäuster Halbleiterbauelemente | 493 |
| 10.2 | Drahtbondtechniken | 493 |
| 10.2.1 | Thermokompressionsdrahtbonden (Warmpressschweißen) | 494 |
| 10.2.2 | Ultraschalldrahtbonden (Ultraschallschweißen) | 495 |
| 10.2.3 | Thermosonicdrahtbonden (Ultraschallwarmschweißen) | 495 |
| 10.2.4 | Ball-Wedge-Bonden (Kugel-Keil-Schweißen) | 496 |
| 10.2.5 | Wedge-Wedge-Bonden (Keil-Keil-Schweißen) | 497 |
| 10.2.6 | Vor- und Nachteile der einzelnen Drahtbondverfahren | 498 |
| 10.2.7 | Prüfverfahren und Alternativen | 499 |
| 10.3 | Alternative Kontaktierungstechniken | 500 |
| 10.3.1 | TAB-Technik | 500 |
| 10.3.2 | Flip-Chip-Technik | 501 |
| 10.3.3 | Entwicklung neuer Kontaktierungssysteme | 503 |
| 10.4 | Kleben | 503 |
| 10.4.1 | Isotropes Kleben | 504 |
| 10.4.2 | Anisotropes Kleben | 505 |
| 10.5 | Anodisches Bonden | 507 |
| 11 | Systemtechnik | 511 |
| 11.1 | Definition eines Mikrosystems | 511 |
| 11.2 | Sensoren | 513 |
| 11.3 | Aktoren | 517 |
| 11.4 | Signalverarbeitung | 519 |
| 11.4.1 | Signalverarbeitung für Sensoren in Mikrosystemen | 519 |
| 11.4.2 | Neuronale Datenverarbeitung für Sensorarrays | 523 |
| 11.5 | Schnittstellen eines Mikrosystems | 528 |
| 11.5.1 | IE-Übertragung | 531 |
| 11.5.1.1 | Elektrische Mikro-/Makroankopplungen | 531 |
| 11.5.1.2 | Optische Mikro-/Makroankopplungen | 533 |
| 11.5.1.3 | Lichtwellenleiter-Ankopplungen | 533 |
| 11.5.1.4 | Mechanische Mikro-/Makroankopplungen | 533 |
| 11.5.1.5 | Ultraschallübertragung | 534 |
| 11.5.2 | S-Übertragung | 535 |
| 11.5.2.1 | Fluidische Mikro-/Makroankopplungen | 535 |
| 11.5.2.2 | Fluidische Mikrokomponenten | 535 |
| 11.6 | Entwurf, Simulation und Test von Mikrosystemen | 537 |
| 11.7 | Modulkonzept der Mikrosystemtechnik | 540 |
| | Literatur | 545 |
| | Stichwortverzeichnis | 565 |
