1. Auflage - Oktober 2008
710,- Euro
2008. 3000 Seiten, 3 Bände, Hardcover
- Handbuch/Nachschlagewerk -
ISBN-10: 3-527-40797-9
ISBN-13: 978-3-527-40797-2 - Wiley-VCH, Berlin

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Kurzbeschreibung
Das umfangreiche Handbuch bietet grundlegende, aktuelle Informationen zu allen Eigenschaften sowie zur Technologie von Nitridhalbleitern und Halbleiterbauelementen. Vor allem Gallium-Nitride und ihnen ähnliche Bausteine und Verbindungen werden detailliert beschreiben.

Aus dem Inhalt
Vol. 1:
I. General Properties of Nitrides
II. Electronic Band Structure and Polarization Effects
III. Growth and Growth Methods of Nitride Semiconductors
IV. Extended Defects, Point Defects, Role of Hydrogen, Doping including Transition Metals

Vol. 2:
I. Metal Contacts to GaN and Processing
II. Determination of Impurity and Carrier Concentrations
III. Carrier Transport in Semiconductors
IV. The p n Junction
V. Optical Processes in Semiconductors and Optical Properties of Nitride Semiconductors and Heterostructures

Vol. 3:
I. Light Emitting Diodes and Lighting
II. Semiconductor Lasers
III. Field Effect Transistors and Heterojunction Bipolar Transistors